等離子表面處理設(shè)備在鈍化層蝕刻的應(yīng)用！
文章導(dǎo)讀：今天我們主要來(lái)講解下等離子清洗機(jī)在金屬刻蝕上的應(yīng)用：鈍化層刻蝕；工藝的目的是為了防止金屬表面腐蝕同時(shí)清潔表面提高附著力，為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備；下面就來(lái)看下應(yīng)用案例。
今天我們主要來(lái)講解下等離子清洗機(jī)在金屬刻蝕上的應(yīng)用：鈍化層刻蝕；工藝的目的是為了防止金屬表面腐蝕同時(shí)清潔表面提高附著力，為后續(xù)工藝做準(zhǔn)備；下面就來(lái)看下應(yīng)用案例。
1、等離子表面處理設(shè)備刻蝕應(yīng)用
蝕刻鋁金屬?gòu)?fù)合膜工藝:
①蝕刻抗反射層。
②去除物體表面的自然氧化層(可以與第①步結(jié)合)。
③金屬鋁的主蝕刻，通常是用反應(yīng)產(chǎn)物探測(cè)器來(lái)偵測(cè)金屬鋁的蝕刻終止。
④去除鋁殘留物，這一步后也可能是主蝕刻步驟的延續(xù)。
⑤底部阻擋層蝕刻(亦可能與第④步結(jié)合）。
⑥去除刻蝕殘留物(可以和下一步驟結(jié)合)
⑦去除光刻膠。
2、等離子表面處理設(shè)備注意事項(xiàng)
2-1 在金屬刻蝕時(shí)，需要將無(wú)需刻蝕部位涂覆光刻膠進(jìn)行保護(hù)，刻蝕后進(jìn)行去除；
2-2 刻蝕氣體為CHF3、N、CH4等腐蝕性氣體，有一定危害性，需要注意使用安全；
2-3 N2保護(hù)氣體在蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生太多的側(cè)壁保護(hù)，容易形成梯形的側(cè)壁形貌；CHF3對(duì)側(cè)壁的保護(hù)則不夠完善；CF4氣體實(shí)現(xiàn)了均勻的側(cè)壁保護(hù)，并能保持幾近垂直的側(cè)壁角度，可以提供側(cè)壁保護(hù)。 （具體使用什么樣的氣體配方要根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果決定，最好進(jìn)行多次試樣找到最佳參數(shù)）
2-4 需要考量設(shè)備穩(wěn)定，當(dāng)工藝參數(shù)確定后，穩(wěn)定的處理效果非常重要，工藝穩(wěn)定，處理一致性要好。
目前等離子表面處理設(shè)備的刻蝕在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用廣泛，集成電路器件和金屬連線結(jié)構(gòu)等需要鈍化層的保護(hù)，防止后續(xù)工藝中切割、清洗、封裝破壞，導(dǎo)致不良品的產(chǎn)生。
蝕刻鋁金屬?gòu)?fù)合膜工藝:
①蝕刻抗反射層。
②去除物體表面的自然氧化層(可以與第①步結(jié)合)。
③金屬鋁的主蝕刻，通常是用反應(yīng)產(chǎn)物探測(cè)器來(lái)偵測(cè)金屬鋁的蝕刻終止。
④去除鋁殘留物，這一步后也可能是主蝕刻步驟的延續(xù)。
⑤底部阻擋層蝕刻(亦可能與第④步結(jié)合）。
⑥去除刻蝕殘留物(可以和下一步驟結(jié)合)
⑦去除光刻膠。
2-1 在金屬刻蝕時(shí)，需要將無(wú)需刻蝕部位涂覆光刻膠進(jìn)行保護(hù)，刻蝕后進(jìn)行去除；
2-2 刻蝕氣體為CHF3、N、CH4等腐蝕性氣體，有一定危害性，需要注意使用安全；
2-3 N2保護(hù)氣體在蝕刻過(guò)程中產(chǎn)生太多的側(cè)壁保護(hù)，容易形成梯形的側(cè)壁形貌；CHF3對(duì)側(cè)壁的保護(hù)則不夠完善；CF4氣體實(shí)現(xiàn)了均勻的側(cè)壁保護(hù)，并能保持幾近垂直的側(cè)壁角度，可以提供側(cè)壁保護(hù)。 （具體使用什么樣的氣體配方要根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果決定，最好進(jìn)行多次試樣找到最佳參數(shù)）
2-4 需要考量設(shè)備穩(wěn)定，當(dāng)工藝參數(shù)確定后，穩(wěn)定的處理效果非常重要，工藝穩(wěn)定，處理一致性要好。
目前等離子表面處理設(shè)備的刻蝕在半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用廣泛，集成電路器件和金屬連線結(jié)構(gòu)等需要鈍化層的保護(hù)，防止后續(xù)工藝中切割、清洗、封裝破壞，導(dǎo)致不良品的產(chǎn)生。
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【本文標(biāo)簽】：等離子表面處理設(shè)備、等離子表面處理、等離子蝕刻
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