為了提升密度，閃存廠商們拼了，等離子清洗機(jī)可以助力閃存發(fā)展嗎？
文章導(dǎo)讀：發(fā)展至今，目前全球NAND Flash市況如何？各大玩家取得了哪些進(jìn)展？以及在提升NAND閃存密度方面，行業(yè)廠商正在進(jìn)行哪些努力，市場未來又將走向何方？等離子清洗機(jī)行業(yè)在芯片領(lǐng)域應(yīng)該如何發(fā)力，什么樣的等離子清洗機(jī)設(shè)備能更好的解決芯片的表面處理難題？
在如今大數(shù)據(jù)時(shí)代，NAND閃存無疑是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的奠基者。不管是手機(jī)、電腦、家電還是汽車、安防等行業(yè)，都少不了NAND閃存的身影，其重要性可見一斑。在此趨勢下，全球NAND Flash存儲(chǔ)容量持續(xù)保持增長，2020年存儲(chǔ)容量達(dá)到5300億GB，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)6110億GB。
隨著存儲(chǔ)容量的不斷增長，NAND Flash存儲(chǔ)原廠的產(chǎn)品生產(chǎn)工藝也在不斷發(fā)展，存儲(chǔ)晶圓工藝制程、電子單元密度、閃存堆疊層數(shù)等都經(jīng)歷了較大的技術(shù)迭代和發(fā)展。
發(fā)展至今，目前全球NAND Flash市況如何？各大玩家取得了哪些進(jìn)展？以及在提升NAND閃存密度方面，行業(yè)廠商正在進(jìn)行哪些努力，市場未來又將走向何方？等離子清洗機(jī)行業(yè)在芯片領(lǐng)域應(yīng)該如何發(fā)力，什么樣的等離子清洗機(jī)設(shè)備能更好的解決芯片的表面處理難題？
三星第一代V-NAND閃存采用了三星電子獨(dú)創(chuàng)圓柱形3D CTF和垂直堆疊技術(shù)，雖然只有24層，但卻突破了平面技術(shù)的瓶頸。反觀東芝，其第一款3D NAND（48層）量產(chǎn)產(chǎn)品比三星晚了整整三年。
有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年，3D NAND的滲透率為72.6%，已遠(yuǎn)超2D NAND，且未來仍將持續(xù)提高，預(yù)計(jì)2025年3D NAND 將占閃存總市場的97.5%。
自從NAND閃存進(jìn)入3D時(shí)代，芯片的層數(shù)比拼一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的重點(diǎn)，堆棧層數(shù)猶如摩天大樓一樣越來越高。在3D NAND技術(shù)賽跑中，存儲(chǔ)廠商從最初的24層、32層，一路堆到了128層、176層，甚至200+層。層數(shù)越高，NAND閃存可具有的容量就越大，增加層數(shù)以及提高產(chǎn)量也是衡量技術(shù)實(shí)力的標(biāo)準(zhǔn)。
前不久，美光宣布其232層NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這也是全球首款突破200層大關(guān)的固態(tài)存儲(chǔ)芯片。
從TechInsights閃存路線圖中獲悉，2D NAND閃存以工藝制程演進(jìn)為評判標(biāo)準(zhǔn)，而邁入3D NAND之后，工藝制程演進(jìn)相對緩慢，堆疊層數(shù)取代工藝制程成為新的介質(zhì)進(jìn)化標(biāo)準(zhǔn)。
從各廠商的技術(shù)藍(lán)圖來看，NAND Flash堆疊層數(shù)預(yù)計(jì)在2022年將達(dá)到2XX層，而工藝制程則可能停留在20nm左右。
從WSTS公布的出貨量數(shù)據(jù)來看，NAND閃存的發(fā)展大致可以分為三個(gè)階段。2000年至2016年間，NAND閃存出貨量呈現(xiàn)線性增長趨勢；2016年至2018年，出貨量相對穩(wěn)定；2018年之后，受益于數(shù)據(jù)中心市場增長，NAND閃存出貨量隨之增加。
從NAND閃存市場的角度看，隨著2001年以后音樂播放器、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)等領(lǐng)域疾速增長，NAND閃存市場需求持續(xù)上揚(yáng)，出貨量以線性趨勢持續(xù)增加
在 NAND閃存擴(kuò)展飽和后，隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等新興市場的發(fā)展，三星、英特爾、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、長江存儲(chǔ)等一系列閃存廠商再次紛紛加速技術(shù)演進(jìn)和市場布局，以爭奪NAND閃存市場的主導(dǎo)權(quán)。
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隨著存儲(chǔ)容量的不斷增長，NAND Flash存儲(chǔ)原廠的產(chǎn)品生產(chǎn)工藝也在不斷發(fā)展，存儲(chǔ)晶圓工藝制程、電子單元密度、閃存堆疊層數(shù)等都經(jīng)歷了較大的技術(shù)迭代和發(fā)展。
為了提升密度，閃存廠商做了哪些努力？
回顧3D NAND閃存的發(fā)展歷程，東芝最早在2007年提出了此概念，并表明NAND閃存未來的發(fā)展趨勢將集中于降低單位bit成本。2013年，三星推出了全球首款V-NAND閃存，并投入量產(chǎn)，代表著3D NAND閃存從技術(shù)概念走向了商業(yè)市場。三星第一代V-NAND閃存采用了三星電子獨(dú)創(chuàng)圓柱形3D CTF和垂直堆疊技術(shù)，雖然只有24層，但卻突破了平面技術(shù)的瓶頸。反觀東芝，其第一款3D NAND（48層）量產(chǎn)產(chǎn)品比三星晚了整整三年。
有數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年，3D NAND的滲透率為72.6%，已遠(yuǎn)超2D NAND，且未來仍將持續(xù)提高，預(yù)計(jì)2025年3D NAND 將占閃存總市場的97.5%。
自從NAND閃存進(jìn)入3D時(shí)代，芯片的層數(shù)比拼一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的重點(diǎn)，堆棧層數(shù)猶如摩天大樓一樣越來越高。在3D NAND技術(shù)賽跑中，存儲(chǔ)廠商從最初的24層、32層，一路堆到了128層、176層，甚至200+層。層數(shù)越高，NAND閃存可具有的容量就越大，增加層數(shù)以及提高產(chǎn)量也是衡量技術(shù)實(shí)力的標(biāo)準(zhǔn)。
前不久，美光宣布其232層NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這也是全球首款突破200層大關(guān)的固態(tài)存儲(chǔ)芯片。
芯片制程“雙刃劍”
此外，NAND的制程是另一個(gè)影響NAND存儲(chǔ)密度的關(guān)鍵因素。2D NAND從早期50+nm到19nm，最后發(fā)展到了16/15nm，每次制程的升級(jí)都將NAND存儲(chǔ)密度提升到新的高度，但是NAND閃存的制程工藝是雙刃劍，容量提升、成本降低的同時(shí)可靠性及性能都在下降，因?yàn)楣に囋较冗M(jìn)，NAND的氧化層越薄，可靠性也越差，廠商就需要采取額外的手段來彌補(bǔ)，但這又會(huì)提高成本，以致于達(dá)到某個(gè)點(diǎn)之后制程工藝已經(jīng)無法帶來優(yōu)勢了。從TechInsights閃存路線圖中獲悉，2D NAND閃存以工藝制程演進(jìn)為評判標(biāo)準(zhǔn)，而邁入3D NAND之后，工藝制程演進(jìn)相對緩慢，堆疊層數(shù)取代工藝制程成為新的介質(zhì)進(jìn)化標(biāo)準(zhǔn)。
從各廠商的技術(shù)藍(lán)圖來看，NAND Flash堆疊層數(shù)預(yù)計(jì)在2022年將達(dá)到2XX層，而工藝制程則可能停留在20nm左右。
寫在最后
NAND閃存的概念可以追溯到上世紀(jì)80年代，而真正步入發(fā)展軌道則是從2000年開始。從WSTS公布的出貨量數(shù)據(jù)來看，NAND閃存的發(fā)展大致可以分為三個(gè)階段。2000年至2016年間，NAND閃存出貨量呈現(xiàn)線性增長趨勢；2016年至2018年，出貨量相對穩(wěn)定；2018年之后，受益于數(shù)據(jù)中心市場增長，NAND閃存出貨量隨之增加。
從NAND閃存市場的角度看，隨著2001年以后音樂播放器、數(shù)碼相機(jī)、手機(jī)等領(lǐng)域疾速增長，NAND閃存市場需求持續(xù)上揚(yáng)，出貨量以線性趨勢持續(xù)增加
在 NAND閃存擴(kuò)展飽和后，隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心等新興市場的發(fā)展，三星、英特爾、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、長江存儲(chǔ)等一系列閃存廠商再次紛紛加速技術(shù)演進(jìn)和市場布局，以爭奪NAND閃存市場的主導(dǎo)權(quán)。
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