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臺積電新研究,讓1nm芯片成為可能,普樂斯等離子體清洗機(jī)觀察

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文章導(dǎo)讀:普樂斯等離子體清洗機(jī)行業(yè)觀察,臺積電和交大強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,研發(fā)出全球厚度僅有0.7納米的超薄二維半導(dǎo)體材料絕緣體,有望借此進(jìn)一步研發(fā)出2納米乃至1納米的電晶體通道,論文這個月成功登上國際期刊自然期刊(nature)。
普樂斯等離子體清洗機(jī)行業(yè)觀察,臺積電和交大強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,研發(fā)出全球厚度僅有0.7納米的超薄二維半導(dǎo)體材料絕緣體,有望借此進(jìn)一步研發(fā)出2納米乃至1納米的電晶體通道,論文這個月成功登上國際期刊自然期刊(nature)。
 
國立交通大學(xué)電子物理系張文豪教授研究團(tuán)隊在科技部長支持下,與臺積電合作,合作研究研發(fā)出全球zui薄、厚度僅0.7納米、大面積晶圓尺寸的二維半導(dǎo)體材料絕緣層,臺積電表示,關(guān)鍵所在是單晶氮化硼技術(shù)的重大突破,今后有望通過這項技術(shù),進(jìn)一步研發(fā)出2納米乃至1納米的電晶體通道。
臺積電新研究,讓1nm芯片成為可能,普樂斯等離子體清洗機(jī)觀察
現(xiàn)階段臺積電正在推動3納米的量產(chǎn)計劃,指的就是電晶體通道尺寸,通道做的越小,電晶體尺寸就能越小,而在持續(xù)微縮的過程中,電子就會變得越來越難傳輸,導(dǎo)致電晶體無法有效工作,現(xiàn)階段二維半導(dǎo)體材料是如今科學(xué)界認(rèn)為zui有可能解決瓶頸的方案的一種。
 
二維半導(dǎo)體材料特性就是很薄,平面結(jié)構(gòu)僅有一兩個原子等級的厚度,但也因而傳輸中的電子容易受環(huán)境影響,因此要絕緣層來阻絕干擾,現(xiàn)階段半導(dǎo)體使用的絕緣層多半是氧化物,通常做到5納米以下就非常困難,無法小于1納米,團(tuán)隊研發(fā)出的單晶氮化硼生長技術(shù),成功達(dá)成0.7納米厚度的絕緣層。
 
臺積電技術(shù)主任陳則安,為清大化學(xué)系博士,他表示,單晶指的是單一的晶體整齊排列,單晶對於將來半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)比較有幫助,因為假設(shè)絕緣層不是單晶結(jié)構(gòu),中間會出現(xiàn)很多缺陷,電阻經(jīng)過的時候可能被缺陷影響,導(dǎo)致效能變差,實驗也已證實會有影響,將來還要更多研究。
 
臺積電處長李連忠曾經(jīng)是中研院原分所研究員,他表示,臺積電研究團(tuán)隊經(jīng)過基礎(chǔ)研究后,尋找問題和突破可能性,跟交大化學(xué)氣相沉積實驗室合作,讓氮化硼單晶在銅上生長,作為保護(hù)二維半導(dǎo)體材料的通道,現(xiàn)階段無法說明量產(chǎn)時間,也有很多關(guān)鍵技術(shù)要突破,比如金屬接觸和元件優(yōu)化,可是確實對於將來電晶體尺寸再變小將有幫助。
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將氮化硼轉(zhuǎn)移至矽晶圓上,藍(lán)色可見部分為支撐膜。

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