普樂斯的射頻真空等離子表面處理設(shè)備陽極鞘層知識點(diǎn)
文章導(dǎo)讀：射頻真空等離子表面處理設(shè)備已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)領(lǐng)域，包括等離子體材料表面改性、等離子體聚合、等離子體刻蝕等工藝中。關(guān)于射頻真空等離子表面處理設(shè)備的陽極鞘層，在專業(yè)知識點(diǎn)中還是比較重要的，對大多數(shù)朋友來講可能還是比較的陌生，今天我們普樂斯整理的一些內(nèi)容分享給大家。
射頻真空等離子表面處理設(shè)備已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)領(lǐng)域，包括等離子體材料表面改性、等離子體聚合、等離子體刻蝕等工藝中。關(guān)于射頻真空等離子表面處理設(shè)備的陽極鞘層，在專業(yè)知識點(diǎn)中還是比較重要的，對大多數(shù)朋友來講可能還是比較的陌生，今天我們普樂斯整理的一些內(nèi)容分享給大家。
為了方便大家能夠充分理解，我們統(tǒng)一下概念，這里所講的陽極，對于射頻真空等離子表面處理設(shè)備就是接地極；而陰極，則是接射頻的饋入電極。
1 射頻真空等離子表面處理設(shè)備陽極鞘層的結(jié)構(gòu)
射頻真空等離子表面處理設(shè)備陽極鞘層主要是由過渡區(qū)和德拜屏蔽層構(gòu)成的。
1-1除鞘電壓的大小之外，陽極鞘層本質(zhì)上與浮置基板前的等離子體鞘大致相同。進(jìn)入鞘層的離子必須要有kTe/e的能量，因此也有一個準(zhǔn)中性的過渡區(qū)。
1-2陽極鞘層比陰極鞘層約小1個數(shù)量級，厚度很薄，但比按德拜屏蔽求出的德拜長度要大。在陽極鞘中基本上不會發(fā)生碰撞，特別是不會發(fā)生電離，這一點(diǎn)與陰極鞘層是有所不同，盡管陰極鞘層中電離也很少。
此外由于陽極的鞘電壓相當(dāng)?shù)停挥屑s10~15V，因此電子密度其實(shí)并不等于零，也就沒有陰極鞘層中那樣的空間電荷限制電流區(qū)。
2 射頻真空等離子表面處理設(shè)備的二次電子發(fā)射
2-1陽極鞘層與理想模型的區(qū)別在于，陽極也可發(fā)射二次電子。通常陽極鞘層的極性是等離子體電位高于陽極電位。在這種情況下，發(fā)射的二次電子便成為負(fù)輝區(qū)的電子源和能量源；但進(jìn)入負(fù)輝區(qū)后又會被逆向加速。
2-2撞擊陽極的粒子中，雖然大部分是在負(fù)輝區(qū)產(chǎn)生的離子、電子和光子，但也有陰極鞘層中產(chǎn)生的高速電
子。這些高速電子在穿越負(fù)輝區(qū)時并未發(fā)生多次碰撞，因而能以相當(dāng)大的能量撞擊陽極，成了陽極中的一種重要的輸入功率。
2-3負(fù)輝區(qū)產(chǎn)生的低速電子也同高速電子一起到達(dá)陽極。而且一般來說，電子撞擊陽極時的二次電子發(fā)射系數(shù) δ 比離子撞擊時的二次電子發(fā)射系數(shù) γi大。
具體詳細(xì)關(guān)于射頻真空等離子表面處理設(shè)備的知識我們會再后續(xù)的文章中與大家進(jìn)行分享！
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