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半導(dǎo)體設(shè)備未來(lái)走勢(shì)預(yù)測(cè),等離子清洗機(jī)未來(lái)走勢(shì)如何?

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文章導(dǎo)讀:SEMI預(yù)測(cè),2022年半導(dǎo)體設(shè)備需求將出現(xiàn)顯著增長(zhǎng),并在2023年之前滿(mǎn)足對(duì)新應(yīng)用的需求和現(xiàn)有產(chǎn)品(如汽車(chē))的短缺。我們還研究了一些使用EUV制造更小的特征半導(dǎo)體的發(fā)展。等離子清洗機(jī)的發(fā)展會(huì)走向何方?等離子清洗機(jī)行業(yè)的未來(lái)的趨勢(shì)如何?
領(lǐng)先的國(guó)際半導(dǎo)體貿(mào)易組織SEMI于7月在舊金山舉行了Semicon會(huì)議。SEMI預(yù)測(cè),2022年半導(dǎo)體設(shè)備需求將出現(xiàn)顯著增長(zhǎng),并在2023年之前滿(mǎn)足對(duì)新應(yīng)用的需求和現(xiàn)有產(chǎn)品(如汽車(chē))的短缺。我們還研究了一些使用EUV制造更小的特征半導(dǎo)體的發(fā)展。等離子清洗機(jī)設(shè)備的發(fā)展會(huì)走向何方?等離子清洗機(jī)行業(yè)的未來(lái)的趨勢(shì)如何?
SEMI在Semicon期間發(fā)布了一份關(guān)于半導(dǎo)體設(shè)備支出狀況和2023年預(yù)測(cè)的年中總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)新聞稿。SEMI表示,原始設(shè)備制造商的全球半導(dǎo)體制造設(shè)備總銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的117.5美元2022年10億美元,較之前的2021年行業(yè)高點(diǎn)1025億美元增長(zhǎng)14.7%,并在2023年增至1208億美元。下圖顯示了半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售的近期歷史和到2023年的預(yù)測(cè)。
半導(dǎo)體
晶圓廠(chǎng)設(shè)備支出預(yù)計(jì)將在2022年增長(zhǎng)15.4%至2022年1010億美元的新行業(yè)記錄,預(yù)計(jì)2023年將進(jìn)一步增長(zhǎng)3.2%至1043億美元。下圖顯示了SEMI對(duì)半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)備支出的估計(jì)和預(yù)測(cè)。
半導(dǎo)體
SEMI表示:“在對(duì)領(lǐng)先和成熟工藝節(jié)點(diǎn)的需求的推動(dòng)下,晶圓代工和邏輯領(lǐng)域預(yù)計(jì)將在2022年同比增長(zhǎng)20.6%至552億美元,并在2023年再增長(zhǎng)7.9%至595億美元.這兩個(gè)部分占晶圓廠(chǎng)設(shè)備總銷(xiāo)售額的一半以上。”
該新聞稿接著說(shuō),“對(duì)內(nèi)存和存儲(chǔ)的強(qiáng)勁需求繼續(xù)推動(dòng)今年的DRAM和NAND設(shè)備支出。DRAM設(shè)備部門(mén)在2022年引領(lǐng)擴(kuò)張,預(yù)計(jì)增長(zhǎng)8%至171億美元。今年NAND設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)6.8%至211億美元。預(yù)計(jì)2023年DRAM和NAND設(shè)備支出將分別下滑7.7%和2.4%。”
中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸和韓國(guó)是2022年最大的設(shè)備買(mǎi)家,預(yù)計(jì)中國(guó)臺(tái)灣將成為主要買(mǎi)家,其次是中國(guó)大陸和韓國(guó)。
自從引入集成電路以來(lái),制造更小的特征一直是更高密度半導(dǎo)體器件的持續(xù)推動(dòng)力。2022Semicon的會(huì)議探討了光刻縮小和其他方法(例如與3D結(jié)構(gòu)和小芯片的異構(gòu)集成)將如何使設(shè)備密度和功能不斷增加。
在Semicon期間,LamResearch宣布與領(lǐng)先的化學(xué)品供應(yīng)商Entegris和Gelest(三菱化學(xué)集團(tuán)旗下公司)合作,為L(zhǎng)am用于極紫外(EUV)光刻的干式光刻膠技術(shù)制造前體化學(xué)品。EUV,尤其是下一代高數(shù)值孔徑(NA)EUV,是推動(dòng)半導(dǎo)體微縮的關(guān)鍵技術(shù),可在未來(lái)幾年實(shí)現(xiàn)小于1nm的特征。
Lam的副總裁DavidFried在一次演講中表明,干式(由小金屬有機(jī)單元組成)與濕式光刻膠相比,可以提供更高的分辨率、更寬的工藝窗口和更高的純度。對(duì)于相同的輻射劑量,干式光刻膠顯示出較少的線(xiàn)路塌陷,因此產(chǎn)生的缺陷較少。此外,使用干式光刻膠可將浪費(fèi)和成本降低5-10倍,并將每個(gè)晶圓通過(guò)所需的功率降低2倍。
來(lái)自ASML的MichaelLercel表示,高數(shù)值孔徑(0.33NA)現(xiàn)在正在生產(chǎn)用于邏輯和DRAM,如下所示。轉(zhuǎn)向EUV減少了額外的工藝時(shí)間和多重圖案化的浪費(fèi),以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的特征。
半導(dǎo)體
該圖顯示了ASML的EUV產(chǎn)品路線(xiàn)圖,并展示了下一代EUV光刻設(shè)備的尺寸。
半導(dǎo)體
SEMI預(yù)測(cè)2022年和2023年半導(dǎo)體設(shè)備需求強(qiáng)勁,以滿(mǎn)足需求并減少關(guān)鍵組件的短缺。LAM、ASML的EUV開(kāi)發(fā)將推動(dòng)半導(dǎo)體特征尺寸低于3nm。小芯片、3D芯片堆棧和向異構(gòu)集成的轉(zhuǎn)變將有助于推動(dòng)更密集、功能更強(qiáng)大的半導(dǎo)體器件。
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